Вчені знайшли ідеальне місце для будівництва підземної колонії на Місяці
19 Жовтня , 2017
Модульні сонячні електростанції від GCL спростять і прискорять запуск нових об’єктів
20 Жовтня , 2017

Транзистори нового типу можуть бути використані для виробництва високопродуктивної і високоефективної гнучкої електроніки

Група інженерів з університету Вісконсіна-Медісона (University of Wisconsin-Madison) створила, з їх слів, “найфункціоналтніший і швидкодіючий тонкоплівковий транзистор у світі”. Крім володіння високими електричними показниками, такі транзистори можуть виготовлятись за допомогою швидких, простих і недорогих методів виробництва, які можуть бути легко розширені до масштабів масового промислового виробництва. Це досягнення дозволить розробникам в недалекому майбутньому створювати нові передові портативні і мобільні пристрої, що мають високі інтелектуальні здібності і здатні зберігати свою працездатність при стисканні, розтягуванні та інших видах деформації.
Новий тонкоплівковий транзистор виготовляється за BiCMOS-технологією (bipolar complementary metal oxide semiconductor). Ці транзистори мають високу швидкодію, здатні пропускати через себе досить великий струм, працювати при відносно високій напрузі і мають малий перехідний опір, що дозволяє знизити кількість енергії, що витрачається даремно у вигляді тепла, яке виділяється. При цьому, вся структура транзистора наноситься на поверхню кремнієвої підкладки наномембрани в ході одноетапного процесу високотемпературної обробки.
BiCMOS-транзисторы
BiCMOS-транзистори є кращим видом транзисторів для пристроїв обробки “змішаних сигналів”, які комбінують обробку як аналогових, так і цифрових сигналів. До таких пристроїв відноситься більшість використовуваних нами в повсякденному житті портативних пристроїв, мобільні телефони, наприклад. “І тепер, завдяки появі нових транзисторів, такі пристрої зможуть стати гнучкими” – розповідає Женкянг Ма (Zhenqiang Ma), професор електроніки і електротехніки.
При використанні традиційних технологій виробництво тонкоплівкових BiCMOS-транзисторів є тривалим процесом, в якому використовується кілька етапів високотемпературної обробки. І навіть незначне відхилення температури одного етапу може зруйнувати елементи структури майбутнього транзистора, виготовлені за допомогою попередніх етапів.
“При промисловому виробництві процес виготовлення BiCMOS-транзисторів триває близько трьох місяців”, – розповідає Женкянг Ма, – “Наш процес, завдяки виключенню з нього безлічі проміжних етапів, дозволяє укластись в один тиждень. І це все разом дозволить налагодити випуск пристроїв з такими транзисторами вже в найближчому майбутньому”.

Джерело

LEU
LEU

Залишити відповідь

Увійти за допомогою: