Вчені винайшли метод електролізу, що працює в 4 рази ефективніше
3 Січня , 2018
Ракета Falcon Heavy компанії SpaceX встановлена на стартовому майданчику і готова до запуску
3 Січня , 2018

Новий тип пам’яті, що працює за рахунок зміни форми молекул

Сучасні CMOS-технології, що використовуються для виробництва чіпів і напівпровідникових приладів, вже впритул наближаються до атомарного рівня. У відповідності з цим, до такого ж рівня повинні “підтягуватись” і інші технології, що дозволить розміщати на кристалах гібридних чіпів як традиційні напівпровідникові компоненти, так і компоненти на основі різних екзотичних матеріалів. Одним з таких компонентів може стати новий вид молекулярної пам’яті, розроблений фахівцями з Каліфорнійського університету в Берклі і Національної лабораторії імені Лоуренса. Комірка такої пам’яті являє собою молекулу, що складається з декількох атомів, а принцип роботи цієї комірки заснований на зміні форми молекули в результаті впливу на неї електричним струмом.
В даній технології використовується метод інжекції електронів. Але замість того, щоб наситити електроди крихітного конденсатора, змінити напрямок спіна або зробити щось інше, електричний струм змінює кристалічну структуру прозорого шару дителуриду молібдену (MoTe2). Зміни кристалічної структури мають повністю оборотний характер, а один з двох видів кристалічної структури відповідає значенню 0 або 1, записаних в цю комірку пам’яті. При цьому, для зміни кристалічної структури матеріалу потрібно набагато менше енергії, ніж для перемикання комірки пам’яті на основі ефекту фазових переходів.
Виды кристаллической решетки MoTe2
Ключовим моментом даної технології є використання дителуриду молібдену, матеріалу з класу перехідних діхалькогенідів. Умовно двовимірний шар такого матеріалу, товщиною декілька атомів, володіє кристалічною решіткою, здатною знаходитись в двох стабільних станах, у симетричному 2H і похилому T1. Якщо кристалічна решітка дителуриду молібдену знаходиться в стані 2H, то матеріал володіє напівметалічними властивостями і має відносно низьку електричну провідність, у разі кристалічної решітки T1, матеріал демонструє явні металеві властивості і високу електричну провідність.
Дослідники з Берклі провели ряд експериментів з різними матеріалами, які можуть змінювати вигляд кристалічної решітки під впливом електричного струму. Остаточний вибір був на користь дителлуриду молібдену через те, що цей матеріал має ще й особливі фотонні властивості. Зрештою дослідники планують створити цілу бібліотеку тонкоплівкових елементів з цього матеріалу, які можуть використовуватись в комп’ютерних чіпах, фотонних та оптичних технологіях, у тому числі і в сонячних батареях.

Джерело

LEU
LEU

Залишити відповідь

Увійти за допомогою: